科研大佬：开局研制光刻机 2 光刻机领域的顶级专家

王易最怕的就是这种啥也不要赔就要赔资料的客户了。

王易只是一个修电脑的，去哪里给美女学生搞资料呢？要是搞一些小电影的话，他倒是有几十个G。

就在王易蛋疼的时候，他突然想到了系统。

系统号称科研大佬系统，应该能够搞到一些光刻机的资料吧。

想到了系统，王易赶忙在脑海之中朝着系统询问道：

“系统，系统，江湖救急，快点出来一下！”

“叮，主人，请问有什么需要为您服务的吗？”

系统的声音回荡在了王易的脑海之中。

“系统，你能给我提供光刻机的资料吗？”

王易着急的询问了一句。

“这个非常简单，三秒之后，光刻机的所有资料将会输入到主人的大脑之中，主人将会成为光刻机领域的顶级专家！”

系统淡定的回复道。

“三秒？”

王易还有点不相信呢，三秒就让自己成为光刻机领域的顶级专家，这个残次品系统有这么神速吗？

“叮，光刻机技术已激活！”

“叮，光刻机技术输入中……”

“叮，光刻机技术输入成功！”

就在王易感到疑惑的时候，一连三道系统的提示音传入到了王易的脑海之中。

紧接着，王易便感觉到一股磅礴的热流注入到了自己的脑海之中。

这种感觉酥酥的、麻麻的，还挺舒服的。

下一刻，王易只觉得自己拥有了海量的光刻机知识，自己仿佛已经成为了光刻机领域的顶级专家。

美女学生看到王易呆愣了半天，还以为王易不想负责了，忍不住又呜呜地哭了起来：

“呜呜呜呜，你把我的光刻机资料给搞丢了，我该怎么办啊？”

“好了好了，不就是一份光刻机资料吗？我现在就给你手打出来！”

王易不耐烦地说了一句，现在他已经成为了光刻机领域的顶级专家了，解决这点小事儿易如反掌。

“你？”

美女学生的双眼疑惑地看着王易，根本就不相信王易说的话。

“我怎么了？难道你不相信我的实力吗？”

王易翻了个白眼，没好气的反问了一句。

“嗯嗯！”

美女学生毫不客气的点了点头，就是不相信王易的实力。

“哼，狗眼看人低，难道你没有听说过什么叫做大隐隐于市吗？”

王易没好气的说了一句，然后在美女学生笔记本的桌面上新建了一个word，接着便在这个word里面输入起来了文字。

美女学生的双眼紧盯着笔记本的屏幕，看到王易输入进去的文字，忍不住自言自语地念了起来：

“光刻技术，作为半导体产业的核心技术之一，是一种用于集成电路制造的图案形成技术。

通常，光刻技术所用到的部件有光刻光源、掩模版、光刻胶等，而其工艺流程一般包括涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀和去胶等。

光刻技术的原理是通过改变集成电路中每个晶圆上节点的最小特征尺寸，来决定每个芯片内晶体管的数目。

光刻机的发展趋势是尽可能的减小最小线宽d。

通过瑞利公式可知，减小工艺因子常数h，增大光学系统的数值孔径NA，以及减小曝光光源的波长λ均可以使最小线宽d变小。

然而，前两种方案的技术难度越来越大，人们几乎已经将其做到了极限。

所以，通过缩短曝光波长λ来减小线宽已成为目前光刻技术的主要研究方向！”

王易写了这么多之后伸了一个懒腰，休息了一下。

美女学生的研究领域正是光刻机，通过对光刻机的研究了解，她发现王易写的完全正确，而且其中还有很多知识点是自己还没有掌握的。

美女学生看王易的眼神已经完全不一样了。

之前美女学生根本就不相信王易能够写出一条有关光刻机的知识来，但是此时此刻美女学生已经被王易的光刻机知识给深深的折服了。

此刻的美女学生终于明白了王易刚才说的“大隐隐于市”的真正含义了。

“哇塞，没想到你居然如此牛叉，居然对光刻机了解这么多！”

美女学生看着王易，难以置信地感慨了一句。

“这算什么，小case罢了！”

王易摆了摆手，表现出来了一副若无其事的样子，然后他又开始继续码字了。

美女学生则是不由自主地把王易码的字一字不差、自言自语的说了出来：

“在光刻技术的发展历程中，科研人员们不断地在探索更短曝光波长的可能性。

上世纪80年代至90年代初期，光刻主要采用高压放电汞灯产生的波长436nm的G线和365nm的I线作为光源。

汞灯普遍应用于步进曝光机，从而实现0.35μm的特征尺寸。

自上世纪90年代中期后，深紫外光刻技术DUVL开始逐渐占据光刻技术的主导地位。

工业上开始使用深紫外波段DUV248nm的KrF和193nm的ArF准分子激光器作为曝光光源。

随后，当光源发展为157nm的F2准分子激光器时，由于光刻胶和掩模材料的局限，使得157nm光刻技术受到了很大的限制。

研究人员们发现充入浸没液后，193nm光源等效波长小于157nm。

另外193nm光刻机技术相对成熟，开发者只需重点解决浸没技术相关的问题，因而采用浸没技术的193nm光源逐渐取代157nm光源继续成为主流技术。

目前，何兰的ASML公司于2018年生产的NXT:2000i，采用193nm光源，为现有最高水平的DUV光刻机，其分辨率为38nm。

NXT:2000i结合多次曝光套刻技术可将线宽缩小至7~5nm。

此外，NXT:2000i是ASML旗下套刻精度最高的DUV光刻机产品，其数值可达1.9nm，但是由于多次曝光套刻技术过于复杂，使得生产成本大幅增加，而器件的产量却大幅降低。

因此，DUVL技术已经达到极限，研究人员们很难再将其所得到的线宽缩至更小的范围！”

王易这部分的内容主要写的是光刻机的发展史，其重点主要是侧重于光源的介绍。

并且在最后，王易还提出来了自己的观点，即DUVL技术已经达到极限，研究人员们很难再将其所得到的线宽缩至更小的范围。

写到这里之后，王易又伸了一个懒腰，码字的感觉真是不爽，真不知道那些网文作者是如何日复一日的坚持下来的。

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